提出一种改善n型横向双扩散金属氧化物半导体(NLDMOS)器件性能的工艺方法。该方法基于某公司0.18μm标准工艺流程, 通过在NLDMOS的......

利用Zn扩散方法制备了倍增层厚度为1.5,1.0,0.8 μm的In0.53Ga0.47As/InP雪崩光电二极管(APDs),研究了该器件特性。随着倍增层厚度......

利用流体模型对ArF准分子激光气体放电过程进行了数值模拟，通过对比不同初始预电离强度下的气体放电情况，分析了预电离效应对准分子......

对击穿后的导光管式高隔离电压光电耦合器的内部损伤痕迹的研究表明, 高电压下器件内部的局部放电引起的持续烧蚀导致了前后级之间......

A new SOI (Silicon On Insulator) high voltage device with Step Unmovable Surface Charges(SUSC) of buried oxide layer and......

对硅片直接键合方法制作的SOI横向二极管的击穿特性在不同条件下进行了测量，通过计算机模拟分析了击穿机理，从器件的几何尺寸和衬底......